臺積電和三星3nm良率僅約50% 距離目標仍有一定差距

【太平洋科技資訊】10月9日消息，據外媒報道，業界專家在分析中指出，全球知名半導體制造商三星電子和臺灣積體電路制造公司(臺積電)的3納米(nm)工藝芯片的良品率目前均在50%左右。目前，三星電子和臺積電都在努力提高良品率，目標是實現60%以上的良品率。

此前有報道稱，三星電子的3nm工藝芯片良品率已經超過60%，并已經向中國的客戶交付了一款芯片。然而，盡管三星電子已經率先量產采用全柵極技術(GAA)的3nm芯片，由于制造難度的增加，其產量還不足以滿足大客戶的需求。

其次，由于這款芯片在制造過程中省略了邏輯芯片中的靜態隨機存取存儲器(SRAM)，因此業界普遍認為，這款芯片很難被視為“完整的3nm芯片”。

一位熟悉三星電子的人士透露，“要想在明年贏得高通等大客戶的3nm移動芯片訂單，良品率至少需要提高到70%。”

另一方面，盡管臺積電是目前唯一一家擁有3nm量產記錄的公司，但其產量也同樣低于最初預期。有分析師表示，臺積電在3nm工藝中采用了與上一代工藝相同的FinFET結構，可能導致“未能控制”過熱問題。

此前，知名分析師郭明錤對蘋果iPhone 15 Pro手機過熱問題進行了解讀，并表示這個問題“與臺積電的3nm制程無關”。他認為，iPhone 15 Pro系列的過熱問題，主要可能是由于為了讓手機重量更輕，蘋果在散熱系統設計上作出了妥協，例如散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。

目前，三星電子和臺積電都在努力提高良品率，目標是實現60%以上的良品率。臺積電計劃在明年量產N3E、N3P、N3X、N3AE等多款3nm芯片，重點是提高良品率并降低成本。