東京電子開發出可生產400層3D NAND閃存的設備

IT之家 10 月 17 日消息，東京威力科創 / 東京電子（Tokyo Electron）為了追趕泛林集團（Lam Research），成功開發出可生產 400 層 3D NAND 閃存的設備，預估該技術可以為公司帶來數十億美元的凈收入。

生產 3D NAND 需要專門的設備，目前主要由美國公司泛林集團控制。IT之家今年 6 月曾報道，東京電子開發出全新蝕刻技術，首次將電蝕刻應用帶入到低溫范圍中，并創造性地發明了具有極高蝕刻速率的系統。

東京威力科創希望憑借著這項技術挑戰泛林集團，與現有方法相比，新的蝕刻方法至少將生產率提高了 2.5 倍。

東京威力科創表示這種技術對環境的有害影響也非常小，公司預估客戶安裝調試完成之后，可以在未來 23 年內開始生產 400 層 3D NAND 存儲器；預估到 2027 年該領域產能比今年翻兩番，達到 20 億美元。

東京電子上一財年銷售的蝕刻設備價值不超過 39 億美元，約占其總銷售額的四分之一。在新技術的幫助下，該公司預計其核心銷售額至少將增加一倍。

去年銷售額達到 200 億美元的半導體行業蝕刻系統市場中，東京電子以 25% 的份額屈居第二，而美國 Lam Research 公司繼續領先，占據半壁江山。

過去五年來，東京電子的研發支出增加了 77%，預計今年的研發支出將達到創紀錄的 13.4 億美元（IT之家備注：當前約 97.95 億元人民幣）。