清華大學(xué)開發(fā)超高速光電計算芯片,算力超3000倍
IT之家 10 月 30 日消息,據(jù)清華新聞網(wǎng)報道,清華大學(xué)自動化系戴瓊海院士、吳嘉敏助理教授與電子工程系方璐副教授、喬飛副研究員聯(lián)合攻關(guān),提出了一種“掙脫”摩爾定律的全新計算架構(gòu):光電模擬芯片,算力達到目前高性能商用芯片的 3000 余倍。
相關(guān)成果以“高速視覺任務(wù)中的純模擬光電芯片”(Allanalog photoelectronic chip for highspeed vision tasks)為題,以長文(article)形式發(fā)表在《自然》(Nature)期刊上。
報道稱,如果用交通工具的運行時間來類比芯片中信息流計算的時間,那么這枚芯片的出現(xiàn),相當(dāng)于將京廣高鐵 8 小時的運行時間縮短到 8 秒鐘。
據(jù)介紹,在這枚小小的芯片中,清華大學(xué)攻關(guān)團隊創(chuàng)造性地提出了光電深度融合的計算框架。從最本質(zhì)的物理原理出發(fā),結(jié)合了基于電磁波空間傳播的光計算,與基于基爾霍夫定律的純模擬電子計算,“掙脫”傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度、精度與功耗相互制約的物理瓶頸,在一枚芯片上突破大規(guī)模計算單元集成、高效非線性、高速光電接口三個國際難題。
實測表現(xiàn)下,光電融合芯片的系統(tǒng)級算力較現(xiàn)有的高性能芯片架構(gòu)提升了數(shù)千倍。在研發(fā)團隊演示的智能視覺任務(wù)和交通場景計算中,光電融合芯片的系統(tǒng)級能效(單位能量可進行的運算數(shù))實測達到了 74.8 PetaOPS / W,是現(xiàn)有高性能芯片的 400 萬余倍。形象地說,原本供現(xiàn)有芯片工作一小時的電量,可供它工作 500 多年。
更進一步,該芯片光學(xué)部分的加工最小線寬僅采用百納米級,而電路部分僅采用 180nm CMOS 工藝,已取得比 7 納米制程的高性能芯片多個數(shù)量級的性能提升。與此同時,其所使用的材料簡單易得,造價僅為后者的幾十分之一。
清華大學(xué)戴瓊海院士、方璐副教授、喬飛副研究員、吳嘉敏助理教授為該文的共同通訊作者,博士生陳一彤、博士生麥麥提?那扎買提、許晗博士為共同第一作者,孟瑤博士、周天貺助理研究員、博士生李廣普、范靜濤研究員、魏琦副研究員共同參與研究。該課題得到科技部 2030“新一代人工智能”重大項目、國家自然科學(xué)基金委基礎(chǔ)科學(xué)中心項目等的支持。
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