西安三星半導體12英寸閃存芯片擴建項目取得新進展

IT之家 12 月 11 日消息，今年 10 月，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進口半導體芯片制作設備，而且他們在取得豁免后也確實在采取相應措施。

中建鋼構消息顯示，三星（中國）半導體 12 英寸閃存芯片 MFAB 項目模塊已完成首吊，這也標志著項目正式進入主體施工階段。

公開資料顯示，三星（中國）半導體有限公司 2012 年落戶西安高新區，而三星半導體西安工廠是該公司唯一的海外存儲器半導體生產基地。

該工廠于 2020 年增設了第二期工廠項目，目前已發展成為全球最大的 NAND 制造基地，每月可生產 20 萬片 12 英寸晶圓，這占據了三星 NAND 總產量的 40% 以上。

三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元（IT之家備注：當前約 780.47 億元人民幣），2017 年開始建造的第二工廠，先后投資了 150 億美元（當前約 1077 億元人民幣）。

三星（中國）半導體公司二期項目位于西安市長安區西太路綜合保稅區，由三星（中國）半導體有限公司投資建設，總建筑面積約 10.7 萬平方米。

官方指出，項目建成投產后將成為全球規模最大的閃存芯片生產基地，為西安市電子信息產業高端集群化發展，打造全球知名的電子信息產業創新高地形成強有力的支撐。

Business Korea 今年 10 月報道稱，三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級到 236 層 NAND 工藝，并開始大規模擴張。

消息人士稱，三星已開始采購最新的半導體設備，新設備預計將在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工廠陸續引進可生產第 8 代 NAND 的設備，這也被業界視為克服全球 NAND 需求疲軟導致產能下降的戰略步驟。