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      飛利浦21pt3182電視機(jī)電源故障(飛利浦6982電視機(jī))

      發(fā)布日期:2023-02-11 11:39:43 瀏覽:
      飛利浦21pt3182電視機(jī)電源故障(飛利浦6982電視機(jī))

      前沿拓展:


      摘要

      本文以LED封裝的五大原物料及五大制程為基礎(chǔ),分析影響LED壽命的的主要因素,以高溫、大電流為試驗(yàn)條件,探討快速老化試驗(yàn)快速分析甄別LED。為快速導(dǎo)入LED廠商做依據(jù)。

      引言

      隨著LED產(chǎn)品的不斷發(fā)展,LED行業(yè)無論是從上游的晶片,中游的封裝還是下游的應(yīng)用都呈現(xiàn)出百花齊放模式。然而現(xiàn)在正從百花齊放的狀態(tài)往大洗牌的模式發(fā)展,如何在LED大洗牌中存活起來,其中最大的因素就是提高自身產(chǎn)品的性價(jià)比。所以目前LED行業(yè)無論是飛利浦、Osram等LED巨頭還是一些國內(nèi)小規(guī)模公司都在進(jìn)行殘酷的價(jià)格戰(zhàn)。而對(duì)于LED照明產(chǎn)品,LED顆粒占成本比例最高,所以LED應(yīng)用廠會(huì)不停的尋找低成本的LED顆粒供應(yīng)商,而LED顆粒供應(yīng)商要使自己產(chǎn)品更有性價(jià)比就一定要做降本。所以LED芯片、金線、支架等這些原物料就首當(dāng)其沖被替換。

      就目前來講LED顆粒單價(jià)的降本頻率已經(jīng)從之前的季度降本提高到每月降本,所以如何對(duì)LED信賴性做好把關(guān)非常關(guān)鍵。如果采用LM 80/LM 79的測試方式顯然不能滿足應(yīng)用廠的要求,LM 80的測試周期一般正常為6000hr,按照這樣的方式驗(yàn)證完成后LED顆粒的價(jià)格早已做過幾次更新。所以對(duì)于LED應(yīng)用廠來說,需要在最短的時(shí)間內(nèi)對(duì)一款LED信賴性作出判斷,即探討一種低成本、快速、有效的篩選LED顆粒的方法。

      LED封裝物料介紹

      如上圖(1)所示,LED主要的原物料有封裝膠、金線、晶片、固晶膠、支架五個(gè)部分。每種物料都會(huì)直接影響LED性能。例如較差的封裝膠不但會(huì)導(dǎo)致出光效率低,更會(huì)導(dǎo)致材料容易受潮,硫化風(fēng)險(xiǎn)增大。

      隨著LED封裝企業(yè)越來越多,迫于成本及競爭淘汰的壓力,封裝廠使用的線材已經(jīng)從剛開始的99.99%的純金線演變成K金線,鍍鈀銅線,而這些線材導(dǎo)熱率會(huì)下降,而且延展性降低,這樣對(duì)于外界產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)很敏感,很容易產(chǎn)生斷線,舉例來講,因?yàn)長ED為潮濕敏感性器件,如果LED中有水汽進(jìn)入,當(dāng)貼片完成后過回流焊時(shí)會(huì)因熱膨脹產(chǎn)生應(yīng)力,如果線材延展性不好會(huì)很容易因應(yīng)力導(dǎo)致斷線,從而造成過回流焊后死燈現(xiàn)象嚴(yán)重。

      另外迫于成本的壓力,很多封裝廠是都在減小晶片的尺寸,并且過電流操作例如早期1030mil晶片只會(huì)做到0.1W,驅(qū)動(dòng)到30mA,而現(xiàn)在有些廠商會(huì)過載到100mA,這樣已經(jīng)超過此晶片的最大承受電流,光衰的風(fēng)險(xiǎn)太大。

      對(duì)LED壽命影響較大的另一個(gè)重要物料就是支架。 對(duì)于同樣一顆LED,在成本不變的前提下,要獲取更多的光通量,最有效的方法就是過電流來驅(qū)動(dòng),但是這樣操作會(huì)造成電流密度過大,從而導(dǎo)致熱量的增加非常大,如下圖2所示使用同一家2835 1W LED做蠟燭燈,推不同電流對(duì)應(yīng)的溫度。

      從上圖可以看出,LED驅(qū)動(dòng)電流下降20%,對(duì)應(yīng)的LED芯片表面溫度下降17%。另外130°已經(jīng)超過了LED芯片的最大承受溫度(一般中小功率芯片為115°,較好點(diǎn)的為125°)。過高的溫度不但導(dǎo)致LED芯片損傷,熒光粉激發(fā)效率降低,也會(huì)使支架上的反射蓋黃化,從而最終都會(huì)導(dǎo)致LED光衰嚴(yán)重。

      目前中小功率(0.5W以下)使用的還是PA9T,有些廠商出于成本的考量甚至還在使用PA6T,不耐高溫。對(duì)于耐高溫來講表現(xiàn)最好的為EMC,其次為PCT,然后是PA9T,PT6T表現(xiàn)最差。

      LED快速老化的方法探討

      本文基于LED應(yīng)用廠探討LED顆粒快速老化試驗(yàn)方法,當(dāng)LED應(yīng)用廠拿到LED封裝廠提供的樣品后,分三部分進(jìn)行篩選測試:①.對(duì)LED顆粒進(jìn)行初始光電參數(shù)測試,包括不同參數(shù)下的光電參數(shù),芯片尺寸等;②.常溫、1.5倍電流快速老化測試;③.85℃、標(biāo)稱電流快速老化測試。下面以一個(gè)實(shí)際案例進(jìn)行說明。

      需要說明的一點(diǎn)是:本文中的快速老化試驗(yàn)所作出的壽命推估只做參考使用,目前還沒有一個(gè)快速老化試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn),所以此方法僅作為照明應(yīng)用廠在同等試驗(yàn)條件下將多家供應(yīng)商的LED顆粒進(jìn)行比較試驗(yàn),擇優(yōu)選取的參考。

      初始光電參數(shù)測試及芯片尺寸量測

      對(duì)A、B兩家LED顆粒樣品進(jìn)行初始參數(shù)測試,測試結(jié)果如表1,從表格中可以看出A、B兩家材料初始光通量相當(dāng),其中B廠商電壓較低,整體光效會(huì)高于A廠商。

      表1 A、B兩家LED顆粒初始光電參數(shù)

      IF=150mA

      廠商

      NO.

      VF

      Φ

      光效

      X

      Y

      CCT

      Ra

      R9

      SDCM

      A3000K

      1

      3.25

      54.73

      112.14

      0.4429

      0.4044

      2904

      81.2

      0.1

      1.5

      2

      3.21

      53.60

      111.28

      0.4386

      0.4002

      2939

      81.7

      2.2

      1.2

      3

      3.24

      53.00

      109.24

      0.4425

      0.4032

      2901

      81.6

      1.9

      1.5

      4

      3.22

      54.54

      112.99

      0.4420

      0.4053

      2926

      81.4

      1.3

      1.1

      5

      3.24

      53.58

      110.21

      0.4343

      0.3977

      2992

      82.4

      5.2

      2.9

      AVG.

      3.23

      53.89

      111.17

      0.4401

      0.4022

      2932

      81.7

      2.1

      1.6

      A6500K

      1

      3.25

      56.98

      116.97

      0.3208

      0.3431

      6022

      81.4

      2.2

      5.6

      2

      3.21

      57.14

      118.77

      0.3184

      0.3480

      6117

      81.0

      8.0

      5.7

      3

      3.28

      57.54

      116.85

      0.3183

      0.3475

      6121

      80.9

      8.8

      5.4

      4

      3.26

      57.54

      117.62

      0.3140

      0.3401

      6363

      81.8

      4.2

      1.7

      5

      3.25

      58.28

      119.66

      0.3195

      0.3498

      6063

      80.4

      10.3

      6.6

      AVG.

      3.25

      57.50

      117.97

      0.3182

      0.3457

      6137

      81.1

      6.7

      5.0

      B3000K

      1

      3.16

      56.62

      119.45

      0.4425

      0.4060

      2925

      82.5

      12.7

      1.4

      2

      3.14

      57.09

      121.16

      0.4319

      0.3977

      3034

      83.5

      17.5

      4.1

      3

      3.14

      56.89

      120.83

      0.4397

      0.4045

      2958

      83.2

      16.1

      0.9

      4

      3.13

      56.27

      119.77

      0.4383

      0.4040

      2976

      83.1

      15.2

      1.4

      5

      3.15

      56.23

      118.84

      0.4420

      0.4039

      2915

      82.8

      14.7

      1.0

      AVG.

      3.15

      56.62

      120.01

      0.4389

      0.4032

      2962

      83.0

      15.2

      1.8

      B6500K

      1

      3.18

      58.66

      123.09

      0.3186

      0.3438

      6127

      82.9

      1.5

      4.1

      2

      3.12

      57.37

      122.67

      0.3214

      0.3464

      5984

      82.5

      0.0

      6.1

      3

      3.17

      59.44

      124.89

      0.3207

      0.3492

      6011

      82.1

      2.6

      6.5

      4

      3.43

      52.49

      102.03

      0.3132

      0.3332

      6449

      83.6

      7.6

      2.7

      5

      3.17

      58.23

      122.56

      0.3198

      0.3451

      6063

      82.5

      0.6

      5.0

      AVG.

      3.21

      57.24

      119.05

      0.3187

      0.3435

      6127

      82.7

      1.2

      4.9

      從晶片2D圖可以看出A廠商使用的晶片尺寸大于B廠商,A廠商芯片的最大承受能力會(huì)大于B廠商,即在過電流操作的情況下,A廠商的的光衰會(huì)小于B廠商(2.2.4的老化試驗(yàn)也證明了這點(diǎn))。

      常溫、1.5倍電流快速老化

      各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點(diǎn)數(shù)量)進(jìn)行常溫(25℃),1.5倍電流(225mA)快速老化試驗(yàn),分0hr、48hr、96hr、168hr四個(gè)階段測試光電參數(shù),以光通量的變化量計(jì)算出各節(jié)點(diǎn)衰減比例。如表2所示。并根據(jù)各節(jié)點(diǎn)衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表3所示。從壽命曲線圖可以看出A廠商的LED壽命明顯優(yōu)于B廠商。

      85℃、標(biāo)稱電流快速老化

      各取5pcs(有條件的可取適當(dāng)取多點(diǎn)數(shù)量)進(jìn)行85℃、標(biāo)稱電流(15mA)快速老化試驗(yàn),分0hr、48hr、96hr、168hr四個(gè)階段測試光電參數(shù),以光通量的變化量計(jì)算出各節(jié)點(diǎn)衰減比例,如表4所示。并根據(jù)各節(jié)點(diǎn)衰減比例模擬出LED顆粒的壽命曲線,如表5所示。從試驗(yàn)結(jié)果看,高溫老化試驗(yàn)中,A廠商壽命也會(huì)比B廠商高。

      小結(jié)

      通過本章的討論我們可以探討出適用于應(yīng)用廠的快速篩選LED的方法:在同時(shí)拿到多家封裝廠LED的時(shí)候,首先可以對(duì)LED進(jìn)行解剖,量測LED芯片尺寸,一般芯片越大抗ESD、抗大電流能力肯定越好;其次進(jìn)行常溫、1.5倍(或者雙倍)快速老化試驗(yàn)以及85℃、標(biāo)稱電流老化試驗(yàn),根據(jù)0hr、48hr、96hr、168hr各節(jié)點(diǎn)的光通量衰減比例繪制出壽命推估,比較各廠商的光通量維持率能力,從而比較判斷各廠商的優(yōu)劣,最后可以結(jié)合各廠商LED的單價(jià)在最短時(shí)間內(nèi)選擇最具性價(jià)比的LED顆粒。

      作者:馮少明

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