詳解管制清單：荷蘭芯片新規影響哪些DUV型號？

集微網消息，6月30日荷蘭政府頒布關于半導體設備出口管制的最新條例，部分媒體將此理解為針對中國的光刻機管制再次升級至所有DUV，實際上這些新的出口管制條例針對對象為先進的45nm及以下芯片制造技術，包括最先進的ALD原子沉積設備、外延生長設備、等離子體沉積設備和浸潤式光刻系統，以及用于使用和開發這類先進設備的技術、軟件。

ASML在給集微網的一份聲明中強調，荷蘭政府新頒布的出口管制條例只涉及部分最新DUV型號，包括 TWINSCAN NXT:2000i 及后續推出的浸潤式光刻系統。EUV光刻機在此前已經受到限制，其他系統的發運未受荷蘭政府管控。根據ASML官網信息，DUV浸潤式光刻系統，包含：TWINSCAN NXT:2050i、NXT:2050i、NXT:1980Di 三種光刻機，這些能夠進行38nm~45nm制程的晶圓加工。

此外，能夠進行45nm以上晶圓加工，如65nm~220nm制程的干式DUV光刻機如：TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等，均不在荷蘭制裁清單內。

根據集微網翻譯的荷蘭管制清單如下：

荷蘭外貿和發展合作部部長頒布的MinBuza.2023.1524627 號條例規定，對此前第2021/821 號條例附件一中未提及的半導體先進生產設備的出口實行許可要求（有關先進半導體制造設備）

第二條：本條例規定，未經部長許可，禁止從荷蘭出口先進的半導體生產設備。

第三條：

1、第二條所述的許可申請，應由出口商提出并向檢察官提交。

2、在任何情況下，申請均應包含：

a出口商名稱和地址；

b先進半導體制造設備的收貨人和最終用戶名稱和地址；

c先進半導體制造設備的接受者和最終使用者名稱和地址。

3、在任何情況下，檢察官都有權要求出口商提供有關出口的合同，和有關最終使用用途的聲明。

第四條：

第二條所述的許可證，可以附加條件和規定。

第二條所述許可的授予，可以存在限定條件。

第五條：

第二條中提到的許可證，可以在以下情況下被撤銷：

a許可證是根據不正確或不完整信息頒發的；

b未遵循許可證的規定、條件和限制；

c出于國家外交和安全政策的考慮。

半導體先進生產設備管理規定附錄

用于半導體設備或材料的生產設備、軟件和技術，以及為其專門設計的零部件和配件。

3B001.l

EUV掩膜

3B001.m

EUV掩膜生產設備

3B001.f.4

以下光刻設備：

a 使用普通光源或X射線進行晶圓加工、對準和重復曝光的設備，具有以下任何特征：

1.光源的波長小于193nm；

2.光源的波長≥193nm，但是能夠產生最小可分辨尺寸（MRF）小于或等于45nm的圖案；以及套刻精度≤1.50nm。

業內人士解讀指出，荷蘭新規對DUV設備（光源波長大于等于193nm）的限制門檻是同時滿足兩個條件：光源波長×K/數值孔徑<=45nm；套刻精度<=1.5nm。精準地把1980i（套刻精度1.6nm）排除在外，2000i（套刻精度1.4nm）剛好在線內。

3B001.d.12

用于金屬原子層沉積（ALD）的設備：

a具備以下所有條件：

1.一種以上的金屬源，其中一種是以鋁（Al）為前體設計的；

2.具有溫度高于45℃的進料容器。

b設計用于沉積具有以下所有特征的金屬材料：

1.沉積碳化鈦鋁（Ti Al C）；

2.可以使晶體管勢壘高于4.0ev的金屬材料。

3B001.a.4

用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜硅鍺（SiGe）這幾種材料外延生長的設備：

a具有以下所有條件：

1.在多個腔室和工藝步驟之間保持高真空度（水和氧分壓≤0.01Pa），或形成惰性氣氛（水和氧分壓≤0.01Pa）的裝置；

2.至少有一個用于清潔晶圓表面的預處理室，等等；

3.外延沉積工作溫度≤685℃。

3B001.d.19

設計用于介電常數低于3.3的金屬線之間，在寬度小于25nm、長寬比≥1:1的空隙中，進行無空隙等離子體放大沉積的設備。

3D007

專門用于開發、生產或操作本法規3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規定的設備而研發的軟件。

3E005

開發、生產或使用本法規3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項規定的設備所需的技術。

“新頒布的管制條例今年9月1日生效，現在ASML可以開始提交出口許可申請；9月1日之后，管制條例涉及的設備型號出口需向荷蘭政府提交出口許可申請，由荷蘭政府決定是否批準授予許可證。”ASML方面告訴集微網。

這意味著9月1日之前發貨的DUV光刻機或不受影響。

為此，新的出口管制對ASML造成的影響，ASML回應與幾個月前的回應一致，即“不會對已發布的2023年財務展望以及于2022年11月投資者日宣布的長期展望產生重大影響。”

針對荷蘭將部分光刻機等半導體相關產品納入出口管制的決定。中國商務部新聞發言人表示，中方注意到相關報道。近幾個月以來，中荷雙方就半導體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。但荷方最終仍將相關半導體設備列管，中方對此表示不滿。近年來，美國為維護自身全球霸權，不斷泛化國家安全概念，濫用出口管制措施，甚至不惜犧牲盟友利益，脅迫拉攏其他國家對中國實施半導體打壓圍堵，人為推動產業脫鉤斷鏈，嚴重損害全球半導體產業發展，中方對此堅決反對。

商務部新聞發言人強調，荷方應從維護國際經貿規則及中荷經貿合作大局出發，尊重市場原則和契約精神，避免有關措施阻礙兩國半導體行業正常合作和發展，不濫用出口管制措施，切實維護中荷企業和雙方共同利益，維護全球半導體產業鏈供應鏈穩定。

中國駐荷蘭使館發言人發表評論表示：

我們注意到，荷蘭政府正式出臺半導體制造設備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿易和國際經貿規則的嚴重背離，中方對此堅決反對。

當前，全球半導體產業已形成你中有我、我中有你的產業格局。中國是世界最大的半導體市場，也是全球半導體供應鏈的重要組成部分。荷方以所謂“國家安全”為由人為設限毫無道理，完全站不住腳。在科技領域人為制造壁壘，在法律上、道義上沒有依據。這種行為不僅損害中國企業的正當合法權益，也會讓荷蘭企業蒙受損失，損害全球產業鏈供應鏈的穩定，還將破壞荷支持自由貿易的良好信譽。

眾所周知，一段時間以來，個別大國一再泛化“國家安全”概念，濫用出口管制措施，對中國企業進行惡意封鎖和打壓，脅迫盟友參與對華經濟遏制。我們呼吁荷方從維護國際經貿規則及中荷經貿合作大局出發，立即糾正錯誤做法。中方將堅決維護自身合法權益。同時，也愿與荷方一道，本著互利互惠的原則，共同探討解決方案，共同推動中荷經貿關系健康發展。