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      詳解管制清單:荷蘭芯片新規(guī)影響哪些DUV型號(hào)?

      發(fā)布日期:2023-07-02 03:42:25 瀏覽:
      詳解管制清單:荷蘭芯片新規(guī)影響哪些DUV型號(hào)?

      集微網(wǎng)消息,6月30日荷蘭政府頒布關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的最新條例,部分媒體將此理解為針對(duì)中國(guó)的光刻機(jī)管制再次升級(jí)至所有DUV,實(shí)際上這些新的出口管制條例針對(duì)對(duì)象為先進(jìn)的45nm及以下芯片制造技術(shù),包括最先進(jìn)的ALD原子沉積設(shè)備、外延生長(zhǎng)設(shè)備、等離子體沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng),以及用于使用和開(kāi)發(fā)這類先進(jìn)設(shè)備的技術(shù)、軟件。

      ASML在給集微網(wǎng)的一份聲明中強(qiáng)調(diào),荷蘭政府新頒布的出口管制條例只涉及部分最新DUV型號(hào),包括 TWINSCAN NXT:2000i 及后續(xù)推出的浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)。EUV光刻機(jī)在此前已經(jīng)受到限制,其他系統(tǒng)的發(fā)運(yùn)未受荷蘭政府管控。根據(jù)ASML官網(wǎng)信息,DUV浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng),包含:TWINSCAN NXT:2050i、NXT:2050i、NXT:1980Di 三種光刻機(jī),這些能夠進(jìn)行38nm~45nm制程的晶圓加工。

      此外,能夠進(jìn)行45nm以上晶圓加工,如65nm~220nm制程的干式DUV光刻機(jī)如:TWINSCAN XT:400L、XT:1460K、NXT:870等,均不在荷蘭制裁清單內(nèi)。

      根據(jù)集微網(wǎng)翻譯的荷蘭管制清單如下:

      荷蘭外貿(mào)和發(fā)展合作部部長(zhǎng)頒布的MinBuza.2023.1524627 號(hào)條例規(guī)定,對(duì)此前第2021/821 號(hào)條例附件一中未提及的半導(dǎo)體先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的出口實(shí)行許可要求(有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備)

      第二條:本條例規(guī)定,未經(jīng)部長(zhǎng)許可,禁止從荷蘭出口先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

      第三條:

      1、第二條所述的許可申請(qǐng),應(yīng)由出口商提出并向檢察官提交。

      2、在任何情況下,申請(qǐng)均應(yīng)包含:

      a出口商名稱和地址;

      b先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的收貨人和最終用戶名稱和地址;

      c先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的接受者和最終使用者名稱和地址。

      3、在任何情況下,檢察官都有權(quán)要求出口商提供有關(guān)出口的合同,和有關(guān)最終使用用途的聲明。

      第四條:

      第二條所述的許可證,可以附加條件和規(guī)定。

      第二條所述許可的授予,可以存在限定條件。

      第五條:

      第二條中提到的許可證,可以在以下情況下被撤銷:

      a許可證是根據(jù)不正確或不完整信息頒發(fā)的;

      b未遵循許可證的規(guī)定、條件和限制;

      c出于國(guó)家外交和安全政策的考慮。

      半導(dǎo)體先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備管理規(guī)定附錄

      用于半導(dǎo)體設(shè)備或材料的生產(chǎn)設(shè)備、軟件和技術(shù),以及為其專門(mén)設(shè)計(jì)的零部件和配件。

      3B001.l

      EUV掩膜

      3B001.m

      EUV掩膜生產(chǎn)設(shè)備

      3B001.f.4

      以下光刻設(shè)備:

      a 使用普通光源或X射線進(jìn)行晶圓加工、對(duì)準(zhǔn)和重復(fù)曝光的設(shè)備,具有以下任何特征:

      1.光源的波長(zhǎng)小于193nm;

      2.光源的波長(zhǎng)≥193nm,但是能夠產(chǎn)生最小可分辨尺寸(MRF)小于或等于45nm的圖案;以及套刻精度≤1.50nm。

      業(yè)內(nèi)人士解讀指出,荷蘭新規(guī)對(duì)DUV設(shè)備(光源波長(zhǎng)大于等于193nm)的限制門(mén)檻是同時(shí)滿足兩個(gè)條件:光源波長(zhǎng)×K/數(shù)值孔徑<=45nm;套刻精度<=1.5nm。精準(zhǔn)地把1980i(套刻精度1.6nm)排除在外,2000i(套刻精度1.4nm)剛好在線內(nèi)。

      3B001.d.12

      用于金屬原子層沉積(ALD)的設(shè)備:

      a具備以下所有條件:

      1.一種以上的金屬源,其中一種是以鋁(Al)為前體設(shè)計(jì)的;

      2.具有溫度高于45℃的進(jìn)料容器。

      b設(shè)計(jì)用于沉積具有以下所有特征的金屬材料:

      1.沉積碳化鈦鋁(Ti Al C);

      2.可以使晶體管勢(shì)壘高于4.0ev的金屬材料。

      3B001.a.4

      用于硅(Si)、碳摻雜硅、硅鍺(SiGe)或碳摻雜硅鍺(SiGe)這幾種材料外延生長(zhǎng)的設(shè)備:

      a具有以下所有條件:

      1.在多個(gè)腔室和工藝步驟之間保持高真空度(水和氧分壓≤0.01Pa),或形成惰性氣氛(水和氧分壓≤0.01Pa)的裝置;

      2.至少有一個(gè)用于清潔晶圓表面的預(yù)處理室,等等;

      3.外延沉積工作溫度≤685℃。

      3B001.d.19

      設(shè)計(jì)用于介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間,在寬度小于25nm、長(zhǎng)寬比≥1:1的空隙中,進(jìn)行無(wú)空隙等離子體放大沉積的設(shè)備。

      3D007

      專門(mén)用于開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)或操作本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項(xiàng)規(guī)定的設(shè)備而研發(fā)的軟件。

      3E005

      開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B001.l、3B001.m、3B001.f.4、3B001.d.12、3B001.a.4、3B001.d.19項(xiàng)規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。

      “新頒布的管制條例今年9月1日生效,現(xiàn)在ASML可以開(kāi)始提交出口許可申請(qǐng);9月1日之后,管制條例涉及的設(shè)備型號(hào)出口需向荷蘭政府提交出口許可申請(qǐng),由荷蘭政府決定是否批準(zhǔn)授予許可證。”ASML方面告訴集微網(wǎng)。

      這意味著9月1日之前發(fā)貨的DUV光刻機(jī)或不受影響。

      為此,新的出口管制對(duì)ASML造成的影響,ASML回應(yīng)與幾個(gè)月前的回應(yīng)一致,即“不會(huì)對(duì)已發(fā)布的2023年財(cái)務(wù)展望以及于2022年11月投資者日宣布的長(zhǎng)期展望產(chǎn)生重大影響。”

      針對(duì)荷蘭將部分光刻機(jī)等半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品納入出口管制的決定。中國(guó)商務(wù)部新聞發(fā)言人表示,中方注意到相關(guān)報(bào)道。近幾個(gè)月以來(lái),中荷雙方就半導(dǎo)體出口管制問(wèn)題開(kāi)展了多層級(jí)、多頻次的溝通磋商。但荷方最終仍將相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備列管,中方對(duì)此表示不滿。近年來(lái),美國(guó)為維護(hù)自身全球霸權(quán),不斷泛化國(guó)家安全概念,濫用出口管制措施,甚至不惜犧牲盟友利益,脅迫拉攏其他國(guó)家對(duì)中國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體打壓圍堵,人為推動(dòng)產(chǎn)業(yè)脫鉤斷鏈,嚴(yán)重?fù)p害全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

      商務(wù)部新聞發(fā)言人強(qiáng)調(diào),荷方應(yīng)從維護(hù)國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā),尊重市場(chǎng)原則和契約精神,避免有關(guān)措施阻礙兩國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正常合作和發(fā)展,不濫用出口管制措施,切實(shí)維護(hù)中荷企業(yè)和雙方共同利益,維護(hù)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定。

      中國(guó)駐荷蘭使館發(fā)言人發(fā)表評(píng)論表示:

      我們注意到,荷蘭政府正式出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口管制措施,這是對(duì)出口管制措施的濫用,是對(duì)自由貿(mào)易和國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離,中方對(duì)此堅(jiān)決反對(duì)。

      當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成你中有我、我中有你的產(chǎn)業(yè)格局。中國(guó)是世界最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),也是全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的重要組成部分。荷方以所謂“國(guó)家安全”為由人為設(shè)限毫無(wú)道理,完全站不住腳。在科技領(lǐng)域人為制造壁壘,在法律上、道義上沒(méi)有依據(jù)。這種行為不僅損害中國(guó)企業(yè)的正當(dāng)合法權(quán)益,也會(huì)讓荷蘭企業(yè)蒙受損失,損害全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定,還將破壞荷支持自由貿(mào)易的良好信譽(yù)。

      眾所周知,一段時(shí)間以來(lái),個(gè)別大國(guó)一再泛化“國(guó)家安全”概念,濫用出口管制措施,對(duì)中國(guó)企業(yè)進(jìn)行惡意封鎖和打壓,脅迫盟友參與對(duì)華經(jīng)濟(jì)遏制。我們呼吁荷方從維護(hù)國(guó)際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā),立即糾正錯(cuò)誤做法。中方將堅(jiān)決維護(hù)自身合法權(quán)益。同時(shí),也愿與荷方一道,本著互利互惠的原則,共同探討解決方案,共同推動(dòng)中荷經(jīng)貿(mào)關(guān)系健康發(fā)展。

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