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      華為芯片“破冰”后,三星、臺積電相繼宣布新消息,意味著什么?

      發(fā)布日期:2022-10-08 21:48:45 瀏覽:
      華為芯片“破冰”后,三星、臺積電相繼宣布新消息,意味著什么?

      芯片制程越往下越難,三星實現(xiàn)了3nm量產(chǎn),臺積電也計劃在下半年量產(chǎn)3nm。但是想要繼續(xù)前進,付出的時間和精力都會成倍增加。

      而華為芯片破冰,探索出了芯片堆疊的發(fā)展方向,可以讓芯片取得更大的性能突破。在這之后三星,臺積電相繼宣布新消息,定下在2025年量產(chǎn)2nm,三星還會在2027年量產(chǎn)1.4nm。這意味著什么?高端芯片制程還能走多遠?

      摩爾定律的極限探索

      摩爾定律是否達到極限在業(yè)內(nèi)一直存在爭執(zhí),英特爾認為摩爾定律可以繼續(xù)存在十年,希望到十年內(nèi)芯片可容納晶體管的數(shù)量達到1萬億個。但是英偉達卻認為摩爾定律已經(jīng)走到盡頭。

      不管是英特爾還是英偉達,都是業(yè)內(nèi)最頂尖的芯片巨頭,所以相關(guān)發(fā)言也是具有權(quán)威性和可信度的。但關(guān)于摩爾定律的爭論雙方卻各執(zhí)一詞,也都有各自的道理。

      所謂的摩爾定律,其實是英特爾創(chuàng)始人戈登?摩爾提出的,認為芯片上的晶體管數(shù)量每隔兩年會實現(xiàn)翻倍。

      而晶體管的數(shù)量越多,芯片性能越強,相當于芯片可以不斷突破,取得更強勁的表現(xiàn)。但是要實現(xiàn)這一點,就必須采用更先進的設備和制造技術(shù),讓芯片制程變得更小,難度也在成倍增加。

      所以芯片制程的提升速度放慢了,若摩爾定律走到盡頭,芯片性能也會止步不前。

      不過華為芯片取得了“破冰”,探索出了芯片堆疊的發(fā)展路徑。華為對芯片領(lǐng)域的研發(fā)非常深入,自從海思在市場上遭遇變故以來,就沒有停止前進。

      而芯片堆疊是海思在探索未來發(fā)展方向的一個嘗試,也是對摩爾定律極限的探索,并且在蘋果 M1 Ultra芯片上得到了驗證。因為M1 Ultra就是將兩顆芯片拼接組合使用,和華為的芯片堆疊存在理論上的一致。

      芯片堆疊帶來的效果就是1+1等于2,兩顆芯片組合帶來雙倍性能。從而讓摩爾定律的極限繼續(xù)往下延伸,讓芯片可以突破更高的性能表現(xiàn)。

      臺積電,三星先后官宣了,事關(guān)高端制程突破

      芯片堆疊理論上可以延續(xù)摩爾定律,帶來性極限性能的突破,但也并非沒有缺陷。兩顆芯片堆疊使用,無疑會占用設備面積空間。如果是放在智能手機這種空間有限的設備中,芯片堆疊明顯是不合適的。

      而且若沒有足夠的空間進行散熱,芯片運行產(chǎn)生的溫度足以勸退用戶。所以疊加的不只是性能,還有功耗。

      現(xiàn)階段只有在主機,汽車這類對空間有足夠容納度的智能終端才能搭載堆疊的芯片,短時間內(nèi)還不能用在智能手機,平板等消費電子產(chǎn)品。所以在這些行業(yè)領(lǐng)域,要想取得更大的性能突破,只能打破摩爾定律的極限,在傳統(tǒng)的工藝路徑中,持續(xù)挖掘高端芯片制程。

      關(guān)于這一點,臺積電,三星先后官宣了,事關(guān)高端制程突破。

      首先臺積電明確表態(tài),會在2024年獲得ASML下一代的NA EUV光刻機,并用于在2025年量產(chǎn)2nm芯片。除此之外臺積電還組建了研發(fā)團隊,進行1.4nm芯片的研發(fā)。

      其次三星也傳來消息,計劃到2025年量產(chǎn)2nm芯片,到2027年時批量生產(chǎn)1.4nm芯片。

      值得一提的是,三星已經(jīng)在今年6月底實現(xiàn)3nm量產(chǎn),而臺積電還沒有確定3nm具體量產(chǎn)時間。相比之下,三星在時間方面有更多的優(yōu)勢,如果能控制芯片良率和把握芯片產(chǎn)能,有可能會拉近與臺積電的競爭差距。

      總之臺積電,三星不會放棄在傳統(tǒng)路徑中突破高端制程,3nm之下還有2nm,1.4nm。

      這兩家巨頭宣布的消息也意味著芯片制程沒有走到終點,正如英特爾所言,摩爾定律還能繼續(xù)發(fā)展。不需要完全采用芯片堆疊,靠犧牲面積的方式來換取性能突破。

      但即便臺積電,三星還能突破更高端的制程,可是帶來的成本也是不容忽視的。英偉達采用臺積電N4工藝造出的PTX 40系列顯卡,價格比上一代上漲了15%。蘋果也因為成本問題,考慮放棄臺積電3nm初代的N3工藝。

      所以成本問題也會導致芯片制程發(fā)展緩慢,畢竟客戶不愿意使用,制造商們也不可能投入太多的資金去參與研發(fā)和建廠。這種情況下,高端芯片制程還能走多遠呢?

      目前臺積電,三星都規(guī)劃到了1.4nm,到這一步估計只是時間問題。再往下,恐怕就得根據(jù)市場需求和客戶使用情況來決定了。臺積電是代工廠,不可能脫離客戶市場的需求而去冒險開發(fā)新工藝,一切還需隨機應變。

      寫在最后

      華為芯片破冰,用芯片堆疊探索出打破摩爾定律極限的方式,但臺積電和三星都規(guī)劃出1.4nm的芯片發(fā)展目標,意味著芯片制程沒有走到盡頭,摩爾定律還能往前。只是未來十年后,人類芯片工藝將發(fā)展到怎樣的程度,就需要時間驗證了。

      你認為芯片制程還能發(fā)展多久呢?歡迎在下方留言分享。

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