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      功率晶體管怎么用(功率晶體管原理)

      發(fā)布日期:2023-01-11 15:57:57 瀏覽:
      功率晶體管怎么用(功率晶體管原理)

      前沿拓展:


      (一)晶體管材料與極性的判別

      1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中,“A”代表鍺材料PNP型管,“B”代表鍺材料NPN型管,“C”代表硅材料PNP型管,“D”代表硅材料NPN型管。

      產(chǎn)晶體管型號命名的第三部分用字母A"D來表示晶體管的材料和類型(不代表極性)。其中,“A”、“B”為PNP型管,“C”、“D”為NPN型管。通常,“A”、“C”為高頻管,“B”、“D”為低頻管。

      歐洲產(chǎn)晶體管型號命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶體管的材料(不表示NPN或PNP型極性)。其中,“A”表示鍺材料,“B”表示硅材料。

      2.從封裝外形上識別晶體管的引腳 在使用權(quán)晶體管之前,首先要識別晶體管各引腳的極性。

      不同種類、不同型號、不同功能的晶體管,其引腳排列位置也不同。通過閱讀上述“晶體管的封裝外形”中的內(nèi)容,可以快速識別也常用晶體管各引腳的極性。

      3.用萬用表判別晶體管的極性與材料 對于型號標(biāo)志不清或雖有型號但無法識別其引腳的晶體管,可以通過萬用表測試來判斷出該晶體管的極性、引腳及材料。

      對于一般小功率晶體管,可以用萬用表R&TImes;100Ω檔或R&TImes;1k檔,用兩表筆測量晶體管任意兩個引腳間的正、反向電阻值。

      在測量中會發(fā)現(xiàn):當(dāng)黑表筆(或紅表筆)接晶體管的某一引腳時(shí),用紅表筆(或黑表筆)去分別接觸另外兩個引腳,萬用表上指示均為低阻值。此時(shí),所測晶體管與黑表筆(或紅表筆)連接的引腳便是基極B,而別外兩個引腳為集電極C和發(fā)射極E。若基極接的是紅表筆,則該管為PNP管;若基極接的是黑表筆,則該管國 NPN管。

      也可以先假定晶體管的任一個引腳為基極,與紅表筆或黑表筆接觸,再用另一表筆去分別接觸另外兩個引腳,若測出兩個均較小的電阻值時(shí),則固定不動的表筆所接的引腳便是基極B,而另外兩個引腳為發(fā)射極E和集電極C。

      找到基極B后,再比較基極B與另外兩個引腳之間正向電阻值的大小。通常,正向電阻值較大的電極為發(fā)射極E,正向電阻值較小的為集電極C。

      PNP型晶體管,可以將紅表筆接基極B,用黑表筆分別接觸另外兩個引腳,會測出兩個略有差異的電阻值。在阻值較小的一次測量中,黑表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大的一次測量中,黑表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

      NPN型晶體管,可將黑表筆接基極B。用紅表筆去分別接觸另外兩個引腳。在阻值較小的一次測量中,紅表筆所接的引腳為集電極C;在阻值較大一次測量中,紅表筆所接的引腳為發(fā)射極E。

      通過測量晶體管PN結(jié)的正、反向電阻值,還可判斷出晶體管的材料(區(qū)分出是硅管還是鍺管)及好壞。一般鍺管PN結(jié)(B、E極之間或B、C極之間)的正向電阻值為200"500Ω,反向電阻值大于100kΩ;硅管PN結(jié)的正向電阻值為3"15kΩ,反向電阻值大于500kΩ。若測得晶體管某個PN結(jié)的正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則可判斷該管已擊穿或開路損壞。

      (二)晶體管性能的檢測

      1.反向擊穿電流的檢測

      普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時(shí),將萬用表置于R&TImes;1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆,發(fā)射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發(fā)射極E接黑表筆。

      正常時(shí),鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R&TImes;100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ(用 R×10檔測)以上。硅材料晶體管的電阻值應(yīng)大于100kΩ(用R×10k檔測),實(shí)測值一般為500kΩ以上。

      若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小,則說明該晶體管的漏電流較大;若測得C、E極之間的電阻值接近0,則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多,則說明該管的熱穩(wěn)定性不良。

      也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試時(shí),先將hFE/ICEO選擇開關(guān)置于ICEO檔,選擇晶體管的極性,將被測晶體管的三個引腳插個測試孔,然后按下ICEO鍵,從表中讀出反向擊穿電流值即可。

      2.放大能力的檢測

      晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時(shí),應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進(jìn)行調(diào)零后,再撥至hFE檔,將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中(采用TO3封裝的大功率晶體管,可將其3個電極接出3根引線后,再分別與三個插孔相接),萬用表即會指示出該管的放大倍數(shù)。

      若萬用表無hFE檔,則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時(shí),應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的發(fā)射極E,紅表筆接晶體管的集電極C,再在晶體管的集電結(jié)(B、C極之間)上并接1只電阻(硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ),然后觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動幅度較大,則說明晶體管的放大能力較強(qiáng)。若萬用表指針不變或擺動幅較小,則說明晶體管無放大能力或放大能力較差。

      測量NPN管時(shí),應(yīng)將萬用表的黑表筆接晶體管的集電極C,紅表筆接晶體管的發(fā)射極E,在集電結(jié)上并接1只電阻,然后觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動幅度越大,說明晶體管的放大能力越強(qiáng)。

      也可以用晶體管直流參數(shù)測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時(shí),先將測試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔,選擇晶體管的極性,將晶體管插入測試孔后,按動相應(yīng)的hFE鍵,再從表中讀出hFE值即可。

      3.反向擊穿電壓的檢測

      晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數(shù)測試表的V(BR)測試功能來測量。測量時(shí),先選擇被測晶體管的極性,然后將晶體管插入測試孔,按動相應(yīng)的V(BR)鍵,再從表中讀出反向擊穿電壓值。

      對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管,也可用圖558中所示的電路進(jìn)行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發(fā)射極E與測試電路的A端、B端相連(PNP 管的E極接A點(diǎn),C極接B點(diǎn);NPN管的E有接B點(diǎn),C極接A點(diǎn))后,調(diào)節(jié)電源電壓,當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r,A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。

      (三)特殊晶體管的檢測

      1.帶阻尼行輸出管的檢測

      用萬用表R×1檔,測量發(fā)射結(jié)(基極B與發(fā)射極E之間)的正、反向電阻值。正常的行輸出管,其發(fā)射結(jié)的正、反向電阻值均較小,只有20"50Ω。

      用萬用表R×1k檔,測量行輸出管集電結(jié)(基極B與集電極C之間)的正、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值(黑表筆接基極B,紅表筆接集電極C)為 3"10kΩ,反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則說明該管的集電結(jié)已擊穿損壞或開路損壞。

      用萬用表R×1k檔,測量行輸出管C、E極內(nèi)部阻尼二極管的正、反向電阻值,正常時(shí)正向電阻值較小(6"7 kΩ),反向電阻值為無窮大,若測得C、E極之間的正反向電阻值均很小,則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極管擊穿損壞。若測得C、E極之間的正、反向電阻值均為無窮大,則是阻尼二極管開路損壞。

      帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量,其方法與普通晶體管相同。

      帶阻尼行輸出管的放大能力(交流電流放大系數(shù)β值)不能用萬用表的hFE檔直接測量,因?yàn)槠鋬?nèi)部有阻尼二極管和保護(hù)電阻器。測量時(shí)可在行輸出管的集電極C 與基極B之間并接1只30 kΩ的電位器,然后再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當(dāng)調(diào)節(jié)電位器的電阻值,并從萬用表上讀出β值。

      2.帶阻晶體管的檢測

      因帶阻晶體管內(nèi)部含有1只或2只電阻器,故檢測的方法與普通晶體管略有不同。檢測之前應(yīng)先了解管內(nèi)電阻器的阻值。

      測量時(shí),將萬用表置于R×1k檔,測量帶阻晶體管集電極C與發(fā)射極E之間的電阻值(測NPN管時(shí),應(yīng)將黑表筆接C極,紅表筆接E極;測PNP管時(shí),應(yīng)將紅表筆接C極,黑表筆接E極),正常時(shí),阻值應(yīng)為無窮大,且在測量的同時(shí),若將帶阻晶體管的基極B與集電極C之間短路后,則應(yīng)有小于50kΩ的電阻值。否則,可確定為晶體管不良。

      也可以用測量帶阻晶體管BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法(應(yīng)考慮到內(nèi)含電阻器對各極間正、反向電阻值的影響)來估測晶體管是否損壞。

      3.光敏三極管的檢測

      光敏三極管只有集電極C和發(fā)射極E兩個引腳,基極B為受窗口。通常,較長(或靠近管鍵的一端)的引腳為E極,較短的引腳的C極。達(dá)林頓型光敏三極管封裝缺圓的一側(cè)為C極。

      檢測時(shí),先測量光敏三極管的暗電阻:將光敏三極管的受光窗口用黑紙或黑布遮住,再將萬用表置于R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極管的兩個引腳。正常時(shí),正、反向電阻均為無窮大。若測出一定阻值或阻值接近0,則說明該光敏三極管已漏電或已擊穿短路。

      測量光敏三極管的亮電阻:在暗電阻測量狀態(tài)下,若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開,將受光窗口靠近光源,正常時(shí)應(yīng)有15"30kΩ的電阻值。則說明光敏三極管已開路損壞或靈敏度偏低。

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