追趕臺(tái)積電，消息稱(chēng)三星正整合優(yōu)勢(shì)資源全力攻關(guān)2nm工藝

追趕臺(tái)積電，消息稱(chēng)三星正整合優(yōu)勢(shì)資源全力攻關(guān)2nm工藝

IT之家 10 月 13 日消息，根據(jù) DigiTimes 發(fā)布的最新報(bào)道，三星正積極推進(jìn) 2nm 工藝，希望能夠在前沿領(lǐng)域挑戰(zhàn)臺(tái)積電。

圖源：三星電子

三星半導(dǎo)體和設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)負(fù)責(zé)人 Kye Hyun Kyung 此前公開(kāi)表示，要在未來(lái) 5 年內(nèi)超越臺(tái)積電和其它行業(yè)巨頭。

據(jù)韓國(guó)新聞媒體 Money Today 援引的內(nèi)部消息稱(chēng)，三星的半導(dǎo)體代工部門(mén)正在快速推進(jìn)其 2 納米生產(chǎn)計(jì)劃，三星正整合優(yōu)勢(shì)資源，加速 2nm 技術(shù)的研發(fā)。一些業(yè)內(nèi)人士甚至在猜測(cè)，三星可能會(huì)跳過(guò) 3 納米生產(chǎn)，直接跨入 2 納米制造工藝。

IT之家今年 6 月報(bào)道，三星官方公布了最新工藝技術(shù)路線圖，該公司計(jì)劃在 2025 年推出 2 納米級(jí)的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級(jí)的 SF1.4 工藝。與此同時(shí)，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時(shí)候推出的第三代 3 納米級(jí)（SF3）工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。

為了讓 SF2 工藝更具競(jìng)爭(zhēng)力，三星還將為該工藝提供一系列先進(jìn)的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。