追趕臺積電，消息稱三星正整合優勢資源全力攻關2nm工藝

IT之家 10 月 13 日消息，根據 DigiTimes 發布的最新報道，三星正積極推進 2nm 工藝，希望能夠在前沿領域挑戰臺積電。

三星半導體和設備解決方案（DS）部門負責人 Kye Hyun Kyung 此前公開表示，要在未來 5 年內超越臺積電和其它行業巨頭。

據韓國新聞媒體 Money Today 援引的內部消息稱，三星的半導體代工部門正在快速推進其 2 納米生產計劃，三星正整合優勢資源，加速 2nm 技術的研發。一些業內人士甚至在猜測，三星可能會跳過 3 納米生產，直接跨入 2 納米制造工藝。

IT之家今年 6 月報道，三星官方公布了最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 納米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 納米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公布了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 納米級（SF3）工藝的基礎上進一步優化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復雜度下減少 5% 的面積。

為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列先進的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。